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sem元素mapping怎么做
大家好!今天讓創(chuàng)意嶺的小編來大家介紹下關(guān)于sem元素mapping怎么做的問題,以下是小編對此問題的歸納整理,讓我們一起來看看吧。
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本文目錄:
一、求大神幫解說一下什么是SEM XRD EDS 分析方法和原理 本人零基礎(chǔ) 大體了解一下
SEM是掃描電子顯微鏡,最高可放大至20萬倍左右,用二次電子成像的原理來觀察某種物質(zhì)的微觀形貌。EDS是能譜儀,是每種元素對應(yīng)的電子能不同,來鑒別元素,通常是和SEM結(jié)合使用,也就是說在SEM上安裝EDS附件,在觀看形貌時,選擇一定區(qū)域用EDS打能譜,也就知道了該區(qū)域的元素組成。XRD是X射線衍射儀,其原理是高壓下,陰極發(fā)出的電子形成高能電子束,轟擊陽極靶材(通常是Cu),靶材的內(nèi)部電子能量升高,被激發(fā)出來,當它回到基態(tài)的過程中,多余的能量以X射線、俄歇電子等形式釋放出來。XRD收集的是其中的X射線,X射線掃到樣品上,會根據(jù)布拉格方程產(chǎn)生衍射角,衍射峰。每種物質(zhì)(不同樣品)的衍射峰不同,因此通常用來鑒別物相,也會根據(jù)峰面積算半定量。
二、sem形貌標尺要求
在做掃描電鏡(SEM)測試時,大部分同學(xué)已經(jīng)了解了SEM測試樣品的相關(guān)要求,但是仍然有一部分同學(xué)不太清楚,今天鑠思百檢測小編整理了關(guān)于“SEM測試樣品要求”希望能幫到大家!
SEM測試樣品要求如下:
1.粉末、液體、薄膜、塊體均可。粉末10mg,塊體樣品直徑≤1cm,厚度<1cm,;薄膜尺寸小于1*1*0.5cm;
2.混凝土,珊瑚沙,氣凝膠,水凝膠等需要抽真空時間非常長的樣品尺寸請盡可能直徑≤5mm,厚度≤5mm
3. 需要脆斷的樣品,尺寸需要≥2*2cm,厚度<0.5cm,較厚的樣品建議尺寸準備大些;
要求樣品無毒、無放射性、干燥無污染、熱穩(wěn)定性好、耐電子束轟擊。
SEM測試制樣流程:
1、塊體:直接用導(dǎo)電膠粘在樣品臺上測試,若需拍塊體/薄膜截面,需明確截面制備方法,一般可以提供剪刀裁剪和液氮脆斷兩種方式;
2、液體:用移液槍取樣品超聲后的懸濁液,滴一滴于硅片或錫紙上,自然風(fēng)干/紅外燈烘干,烘干后將硅片或錫紙用導(dǎo)電膠粘在樣品臺上測試;
3、粉末:(1)直接用導(dǎo)電膠粘在樣品臺上測試;(2)乙醇分散制樣:取少量樣品于離心管中,加入 一定量無水乙醇(或水),室溫超聲 5-10min,隨后采用 2 中液體的制樣方式制樣測試。
SEM測試樣品要求注意事項:
1、樣品含水,濕潤是不能做SEM的;
2、易分解樣品需明確分解條件(如溫度等),若樣品極易分解可能不能安排測試,因為分解后產(chǎn)生物質(zhì)可能對測試儀器造成影響;
3、水凝膠等易吸潮樣品寄樣前請先確認樣品暴露 4-5h 內(nèi)是否會出現(xiàn)明顯的吸潮現(xiàn)象,測試過程中樣品吸潮會影響拍攝的同時也會對儀器造成損傷;
4、導(dǎo)電性不好(如半導(dǎo)體金屬氧化物、生物樣品及塑料、陶瓷等)或強磁樣品建議選擇噴金,不噴金可能會影響拍攝效果。
鑠思百檢測可做的SEM測試項目有:
表面形貌觀察、EDS能譜點掃、EDS能譜線掃、EDS能譜面掃(mapping);可鍍金,非磁、弱磁、強磁樣品,生物樣品均可拍攝。
網(wǎng)址:
科研設(shè)備
三、SEI是指什么測試手段,elemental mapping是用什么儀器測得?
elemental mapping 是通過energy dispersive spectroscopy (EDS)-能譜儀測出
四、2020-02-08-2小劉科研筆記之FIB-SEM雙束系統(tǒng)在材料研究中的應(yīng)用
聚焦離子束掃描電鏡雙束系統(tǒng)(FIB-SEM)是在SEM的基礎(chǔ)上增加了聚焦離子束鏡筒的雙束系統(tǒng),同時具備微納加工和成像的功能,廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究和半導(dǎo)體芯片研發(fā)等多個領(lǐng)域。本文記錄一下FIB-SEM在材料研究中的應(yīng)用。
以目前實驗室配有的FIB-SEM的型號是蔡司的Crossbeam 540為例進行如下分析,離子束最高成像分辨率為3nm,電子束最高分辨率為0.9nm。該系統(tǒng)的主要部件及功能如下:
1.離子束: 濺射(切割、拋光、刻蝕);刻蝕最小線寬10nm,切片最薄3nm。
2.電子束 : 成像和實時觀察
3.GIS(氣體注入系統(tǒng)): 沉積和輔助刻蝕;五種氣體:Pt、W、SiO2、Au、XeF2(增強刻蝕SiO2)
4.納米機械手: 轉(zhuǎn)移樣品
5.EDS: 成分定量和分布
6.EBSD : 微區(qū)晶向及晶粒分布
7.Loadlock(樣品預(yù)抽室): 快速進樣,進樣時間只需~1min
由上述FIB-SEM的一個部件或多個部件聯(lián)合使用,可以實現(xiàn)在材料研究中的多種應(yīng)用,具體應(yīng)用實例如下:
圖2a和b分別是梳子形狀的CdS微米線的光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡照片,從光學(xué)顯微鏡照片可以看出在CdS微米線節(jié)點處內(nèi)部含有其他物質(zhì),但無法確定是什么材料和內(nèi)部形貌。利用FIB-SEM在節(jié)點處定點切割截面,然后對截面成像和做EDS mapping,如圖2c、d、e和f所示,可以很直觀的得到在CdS微米線的節(jié)點處內(nèi)部含有Sn球。
FIB-SEM制備TEM樣品的常規(guī)步驟如圖3所示,主要有以下幾步:
1)在樣品感興趣位置沉積pt保護層
2)在感興趣區(qū)域的兩側(cè)挖大坑,得到只有約1微米厚的薄片
3)對薄片進行U-cut,將薄片底部和一側(cè)完全切斷
4)緩慢移下納米機械手,輕輕接觸薄片懸空的一端后,沉積pt將薄片和納米機械手焊接牢固,然后切斷薄片另一側(cè),緩慢升起納米機械手即可提出薄片
5)移動樣品臺和納米機械手,使薄片與銅網(wǎng)(放置TEM樣品用)輕輕接觸,然后沉積pt將薄片和銅網(wǎng)焊接牢固,將薄片和納米機械手連接的一端切斷,移開納米機械手,轉(zhuǎn)移完成
6)最后一步為減薄和清洗,先用大加速電壓離子束將薄片減薄至150nm左右,再利用低電壓離子束將其減薄至最終厚度(普通TEM樣品<100nm,高分辨TEM樣品50nm左右,球差TEM樣品<50nm)
一種如圖4a所示的MoS2場效應(yīng)管,需要確定實際器件中MoS2的層數(shù)及柵極(Ag納米線)和MoS2之間的距離。利用FIB-SEM可以準確的在MoS2場效應(yīng)管的溝道位置,垂直于Ag納米線方向,提出一個薄片,并對其進行減薄,制備成截面透射樣。在TEM下即可得到MoS2的層數(shù)為14層(圖4c), Ag納米線和MoS2之間的距離為30nm(圖4b)。
圖5是一種錳酸鋰材料的STEM像,該樣品是由FIB-SEM制備,圖中可以看到清晰的原子像。這表明FIB-SEM制備的該球差透射樣非常薄并且有很少的損傷層。
FIB-SEM還可以進行微納圖形的加工。
圖6a 是FIB-SEM在Au/SiO2上制備的光柵,光柵周期為150nm,光柵開口為75nm。
圖6b 是利用FIB-SEM在Mo/石英上做的切侖科夫輻射源針尖,針尖曲率半徑為17nm。
圖6c 是在Au膜上加工的三維對稱結(jié)構(gòu)蜘蛛網(wǎng)。
圖6d 是FIB-SEM在硅上刻蝕的賀新年圖案,圖中最小細節(jié)尺寸僅有25nm。
FIB-SEM可以對材料進行切片式的形貌和成分三維重構(gòu),揭示材料的內(nèi)部三維結(jié)構(gòu)。大概過程如圖7a所示, FIB切掉一定厚度的樣品,SEM拍一張照片,重復(fù)此過程,連續(xù)拍上百張照片,然后將上百張切片照片重構(gòu)出三維形貌。圖7b是一種多孔材料內(nèi)部3×5×2um范圍的三維重構(gòu)結(jié)果,其實驗數(shù)據(jù)是利用FIB-SEM采集,三維重構(gòu)是利用Avizo軟件得到,其分辯率可達納米級,展示了內(nèi)部孔隙的三維空間分布,并可以計算出孔隙的半徑大小、體積及曲率等參數(shù)。
利用FIB-SEM配有的納米機械手及配合使用離子束沉積Pt,可以實現(xiàn)微米材料的轉(zhuǎn)移,即把某種材料從一個位置(襯底)轉(zhuǎn)移到特定位置(襯底),并固定牢固。圖8是把四針氧化鋅微米線從硅片轉(zhuǎn)移到兩電極的溝道之間,從而制備成兩個微米線間距只有1um的特殊器件。
最后,F(xiàn)IB-SEM還有很多其他的應(yīng)用,例如三維原子探針樣品制備,芯片線路修改等??傊瓼IB-SEM是材料研究中一個非常重要的手段。
不積珪步,無以至千里;不積細流,無以成江海。做好每一份工作,都需要堅持不懈的學(xué)習(xí)。
以上就是關(guān)于sem元素mapping怎么做相關(guān)問題的回答。希望能幫到你,如有更多相關(guān)問題,您也可以聯(lián)系我們的客服進行咨詢,客服也會為您講解更多精彩的知識和內(nèi)容。
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