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APD的工作原理(簡(jiǎn)述apd的工作原理)
大家好!今天讓創(chuàng)意嶺的小編來大家介紹下關(guān)于APD的工作原理的問題,以下是小編對(duì)此問題的歸納整理,讓我們一起來看看吧。
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本文目錄:
一、三極管工作原理,最好用形象的語言表達(dá)或者畫出原理圖說明
光電三極管也稱光敏三極管,它的電流受外部光照控制。是一種半導(dǎo)體光電器件。比光電二極管靈敏得多,光照集中電結(jié)附近區(qū)域。
利用雪崩倍增效應(yīng)可獲得具有內(nèi)增益的半導(dǎo)體光電二極管(APD),而采用一般晶體管放大原理,可得到另一種具有電流內(nèi)增益的光伏探測(cè)器,即光電三極管。它的普通雙極晶體管十分相似,都是由兩個(gè)十分靠近的p-n結(jié)-------發(fā)射結(jié)和集電結(jié)構(gòu)成,并均具有電流發(fā)大作用。為了充分吸收光子,光電三極管則需要一個(gè)較大的受光面,所以,它的響應(yīng)頻率遠(yuǎn)低于光電二極管。[1]
2.1機(jī)構(gòu)與工作原理
光電三極管是一種相當(dāng)于在基極和集電極之間接有光電二極管的普通三極管,因此,結(jié)構(gòu)與一般晶體管類似,但也有其特殊地方。如圖2.1.1所示。圖中e.b.c分別表示光電三極管的發(fā)射極.基極和集電極。正常工作時(shí)保證基極--集電極結(jié)(b—c結(jié))為反偏正狀態(tài),并作為受光結(jié)(即基區(qū)為光照區(qū))。光電三極管通常有npn和pnp型兩種結(jié)構(gòu)。常用的材料有硅和鍺。例如用硅材料制作的npn結(jié)構(gòu)有3DU型,pnp型有3GU型。采用硅的npn型光電三極管其暗電流比鍺光電三極管小,且受溫度變化影響小,所以得到了廣泛應(yīng)用。[2]
光電三極管的工作有兩個(gè)過程,一是光電轉(zhuǎn)換;二是光電流放大。光電轉(zhuǎn)換過程是在集---基結(jié)內(nèi)進(jìn)行,它與一般光電二極管相同。[3]當(dāng)集電極加上相對(duì)于發(fā)射極為正向電壓而基極開路時(shí)(見圖2.1.1(b)),則b--c結(jié)處于反向偏壓狀態(tài)。無光照時(shí),由于熱激發(fā)而產(chǎn)生的少數(shù)載流子,電子從基極進(jìn)入集電極,空穴則從集電極移向基極,在外電路中有電流(即暗電流)流過。當(dāng)光照射基區(qū)時(shí),在該區(qū)產(chǎn)生電子---空穴對(duì),光生電子在內(nèi)電場(chǎng)作用下漂移到集電極,形成光電流,這一過程類似于光電二極管。于此同時(shí),空穴則留在基區(qū),使基極的電位升高,發(fā)射極便有大量電子經(jīng)基極流向集電極,總的集電極電流為
IC=IP +βI P=(1+β)IP 2.1.1
圖2.1.1光電三極管結(jié)構(gòu)及工作原理
式中β為共發(fā)射極電流放大倍數(shù)。因此,光電三極管等效于一個(gè)光電二極管與一般晶體管基極---集電極結(jié)的并聯(lián)。它是把基極---集電極光電二極管的電流(光電流IP)放大β倍的光伏探測(cè)器,可用圖2.1.1(c)來表示。與一般晶體管不同的是集電極電流IC由基極---集電極結(jié)上產(chǎn)生的光電流IP=Ib控制。也就是說,集電結(jié)起雙重作用,一是把光信號(hào)變成電信號(hào)起光電二極管的作用;二是將光電流放大,起一般晶體三極管的集電極的作用。[4]
2.2光電三極管的等效電路
根據(jù)光電三極管的工作原理,我們可以比較容易的畫出他的等效電路。由于它的集電結(jié)勢(shì)壘電容Ccb遠(yuǎn)小于發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容Cbe,我們可以得到如圖2.2.1光電三極管的交流等效電路,圖中ip為集電結(jié)光電二極管的電流源,Cbe為發(fā)射結(jié)電容;rbe為發(fā)射結(jié)正向微分交流電阻;iLw為放大后的電流源;iL=βip;β為光電三極管的放大倍數(shù);Rce為集電極發(fā)射極電阻;Cce為集電極發(fā)射極間電容;RL為負(fù)載電阻。由圖5--40等效電路,
可以得到負(fù)載電阻兩端的輸出電壓V0為
2.2.1
式中, , 為入射光信號(hào)的角頻率,選擇合適的負(fù)載,使得 ,則 ,輸出電壓為
2.2.2
由上式可看出,當(dāng)輸入光信號(hào)時(shí),由于發(fā)射結(jié)電容相對(duì)較大,造成對(duì)信號(hào)的分流,將使有效輸出信號(hào)減小。此外,電容 的旁路也會(huì)減少流過 的輸出電流。利用光電三極管的等效電路在計(jì)算機(jī)和分析它的時(shí)間響應(yīng)和輸出外特性是非常方便的。[5]
2.3光電三極管的特性參數(shù)
2.3.1伏安特性
圖2.3.1表示光電三極管的 關(guān)系曲線。由圖可見,光電三極管在偏壓為零時(shí),集電流為零。當(dāng)有光照時(shí),光電三極管輸出電流比同樣光照下光電二極管的輸出電流大 倍。圖中曲線還表明,在光功率等間距增大的情況下,輸出電流并不等間距增大,這是由于電流放大倍數(shù) 隨信號(hào)光電流的增大而增大所引起的。
2.3.2頻率響應(yīng)
光電三極管的頻率響應(yīng)與 結(jié)的結(jié)構(gòu)及外電路有關(guān)。通常需考慮:少數(shù)載流子對(duì)發(fā)射結(jié)和收集結(jié)勢(shì)壘電容( 和 )的充放電時(shí)間;少數(shù)載流子渡越基區(qū)所需時(shí)間;少數(shù)載流子掃過收集勢(shì)壘區(qū)的渡越時(shí)間;通過收集結(jié)到達(dá)收集區(qū)的電流流經(jīng)收集區(qū)及外負(fù)載電阻產(chǎn)生的結(jié)壓將,使收集結(jié)電荷量改變的時(shí)間常數(shù)。于是光電三極管總響應(yīng)時(shí)間應(yīng)為上述各個(gè)時(shí)間之和。因此,光電三極管的響應(yīng)時(shí)間比光電二極管的要長的多。由于光電三極管廣泛應(yīng)用于各種光電控制系統(tǒng),其輸入光信號(hào)多為脈沖信號(hào),即工作在大信號(hào)或開關(guān)狀態(tài),因而光電三極管的響應(yīng)時(shí)間或響應(yīng)頻率將是光電三極管的重要參數(shù)。[6]
為改善光電三極管的響應(yīng)頻率,從光電三極管的等效電路可知道應(yīng)盡可能減少 和 時(shí)間常數(shù)。一方面在工藝上設(shè)法減小結(jié)電容 . 等;另一方面要合理選擇負(fù)載電阻 ,減小電路時(shí)間常數(shù)。圖2.3.2給出了在不同負(fù)載電阻 下,光電三極管輸出電壓的相對(duì)值與入射光調(diào)制頻率的關(guān)系。由圖可知, 愈大,高頻響應(yīng)將愈差。減小 可以改善頻率特性。但 降低會(huì)導(dǎo)致輸出電壓下降。因此,在實(shí)際使用時(shí),合理選擇 和利用高增益運(yùn)算放大器作后級(jí)電壓放大,可得到高的輸出電壓并改善頻率響應(yīng)。此外,為改善頻率響應(yīng),減小體積,提高增益,電路上常采用高增益.低輸入阻抗的運(yùn)算放大器與之配合。圖2.3.3(a)(b)分別表示達(dá)林頓光電晶體管的集成電路示意圖。實(shí)際使用光電三極管時(shí)常采用帶基極引線的光電三極管,并提供一定的基極電流。對(duì)無基極引線的光電三極管,則給予一定照度的背景光,使其工作于線性放大區(qū),以得到較大的集電極電流,這將有利于提高光電三極管的頻率響應(yīng)。圖2.3.4給出了光電三極管響應(yīng)時(shí)間與集電極電流 的關(guān)系,由圖可知,增加集電極電流 可減小光電三極管的響應(yīng)時(shí)間,即提高光電三極管的工作頻率。[7]
與光電二極管相比較,光電三極管頻率響應(yīng)較低,不宜使用于高速,寬帶的光電探測(cè)系統(tǒng)中,但由于其響應(yīng)率高,具有電流內(nèi)增益,故在一般光電探測(cè)系統(tǒng)中仍得到廣泛應(yīng)用。
設(shè)計(jì)一個(gè)報(bào)警器。由圖3.1(a)、(b)所示電路分別是紅外發(fā)射器和紅外接收、無線發(fā)射機(jī)的電路圖。
圖3.1(a)所示電路為紅外發(fā)射器電路。由VT1、VT2、C1以及R1等組成一個(gè)300Hz左右的自激振蕩器,其振蕩器頻率主要由時(shí)間常數(shù)R1 C1決定。紅外發(fā)射二極管串接在VT2的集電極回路中,在振蕩器振蕩過程中VT2每導(dǎo)通一次,發(fā)光二極管發(fā)光一次。R3用于限流,使VT2的電流不超過500mA。
(a) 紅外發(fā)射器
(b)紅外接受無線發(fā)射機(jī)
圖3.1 遮光式紅外監(jiān)控?zé)o線報(bào)警器電路
在圖3.1(b)所示電路中,紅外就收管VD3選用選用與發(fā)射管配套的管型(光波長一致)。VD3將照射的紅外光轉(zhuǎn)換成電信號(hào),并經(jīng)C2、R5加至IC1-a的反相輸入端。IC1采用雙運(yùn)放TL072(或LM358、R4558、NE5532),其同相端外接6V騙子電壓。該級(jí)的放大倍數(shù)K=20lg(R8/R5),圖示參數(shù)給出近53dB的放大量。IC1-a的輸出經(jīng)VD4、C3等整流后,以直接電壓形式加至IC1-b的反相輸入端。IC1-b與R10、R12、RP1等組成一個(gè)電壓比較器,當(dāng)VD3一直受紅外光照時(shí),b點(diǎn)的電位Vb<Va(預(yù)先調(diào)好),IC1-b的輸出端(⑦腳)呈高電平,VT3飽和導(dǎo)通,致使其集電極,(即IC2的④腳)呈低電平(<0.4V)。IC2與R15、R16、C4等組成一個(gè)可控多諧振蕩級(jí),當(dāng)它的強(qiáng)制復(fù)位④腳呈低電平時(shí),電路被強(qiáng)制復(fù)位,振蕩中止。
當(dāng)有人涉足紅外監(jiān)控區(qū)時(shí),紅外光束被遮斷,IC1-a無信號(hào)輸入,其輸出呈低電平,則電源電壓通過R9對(duì)C3充電,致使Vb>Va, IC1-b的⑦腳呈低電平,VT3截止,則IC2的④腳通過R14接電源,呈高電位,IC2起振。其振蕩頻率f=1.44/[( R15+2 R16)C4],圖示參數(shù)的振蕩頻率約為1000Hz。
IC2輸出的音頻脈沖信號(hào)通過R17、C6加至VT4的基極。VT4與L、C9、C10等組成一個(gè)高頻振蕩器,其振蕩頻率主要取決于L、C9組成的選頻回路,調(diào)節(jié)C9,使振蕩頻率在調(diào)頻波段88-108MHz范圍內(nèi)。同時(shí),該振蕩級(jí)在輸入脈沖信號(hào)的激勵(lì)下呈調(diào)頻振蕩狀態(tài),這是由于VT4的集電結(jié)電容隨調(diào)制脈沖的高低電平變化,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)調(diào)頻。調(diào)頻載波信號(hào)通過天線發(fā)射出去。
二、藥學(xué)apd和erp各表示什么
APD是動(dòng)作電位時(shí)程。指可興奮組織或細(xì)胞受到閾上刺激時(shí),在靜息電位基礎(chǔ)上發(fā)生的快速、可逆轉(zhuǎn)、可傳播的細(xì)胞膜兩側(cè)的電變化。
ERP是事件相關(guān)電位。是一種特殊的腦誘發(fā)電位,通過有意地賦予刺激以特殊的心理意義,利用多個(gè)或多樣的刺激所引起的腦的電位。它反映了認(rèn)知過程中大腦的神經(jīng)點(diǎn)生理的變化。
藥學(xué)
1專業(yè)介紹
藥學(xué)專業(yè)培養(yǎng)具備藥學(xué)學(xué)科基本理論、基本知識(shí)和實(shí)驗(yàn)技能,能在藥品生產(chǎn)、檢驗(yàn)、流通、使用和研究與開發(fā)領(lǐng)域從事鑒定、藥物設(shè)計(jì)、一般藥物制劑及臨床合理用藥等方面工作的高級(jí)科學(xué)技術(shù)人才。 業(yè)務(wù)培養(yǎng)要求:本專業(yè)學(xué)生主要學(xué)習(xí)藥學(xué)各主要分支學(xué)科的基本理論和基本知識(shí),受到藥學(xué)實(shí)驗(yàn)方法和技能的基本訓(xùn)練,具有藥物制備、質(zhì)量控制評(píng)價(jià)及指導(dǎo)合理用藥的基本能力。
2實(shí)踐教學(xué)
有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)、分析化學(xué)基礎(chǔ)、物理化學(xué)基礎(chǔ)、生物化學(xué)基礎(chǔ)、藥物化學(xué)基礎(chǔ)、藥劑學(xué)、藥物分析、藥理學(xué)基礎(chǔ)、藥事管理、臨床醫(yī)學(xué)概論、醫(yī)院藥房見習(xí)、制劑室見習(xí)、藥廠見習(xí)、藥檢所見習(xí)、生產(chǎn)實(shí)習(xí)等,以及各校的主要特色課程和實(shí)踐環(huán)節(jié)。
3培養(yǎng)目標(biāo)
培養(yǎng)掌握藥學(xué)的基本理論和專業(yè)技能,從事藥品生產(chǎn)、檢驗(yàn)、一般藥物制劑和臨床合理用藥的高級(jí)技術(shù)應(yīng)用性專門人才。
4培養(yǎng)要求
本專業(yè)學(xué)生主要學(xué)習(xí)藥學(xué)各主要分支學(xué)科的基本理論和基本知識(shí),受到藥學(xué)實(shí)驗(yàn)方法和技能的基本訓(xùn)練,具有藥物制備、質(zhì)量控制評(píng)價(jià)及指導(dǎo)合理用藥的基本能力。
5專業(yè)能力
1.掌握藥劑學(xué)、藥理學(xué)、藥物化學(xué)和藥物分析等學(xué)科的基本理論、基本知識(shí);
2.掌握主要藥物制備、質(zhì)量控制、藥物與生物體相互作用、藥效學(xué)和藥物安全性評(píng)價(jià)等基本方法和技術(shù);
3.具有藥物制劑的初步設(shè)計(jì)能力、選擇藥物分析方法的能力、新藥藥理實(shí)驗(yàn)與評(píng)價(jià)的能力、參與臨床合理用藥的能力;
4.熟悉藥事管理的法規(guī)、政策與營銷的基本知識(shí);
5.了解現(xiàn)代藥學(xué)的發(fā)展動(dòng)態(tài);
6.掌握文獻(xiàn)檢索、資料查詢的基本方法,具有一定的科學(xué)研究和實(shí)際工作能力。
三、流式細(xì)胞儀熒光檢測(cè)pmt接收器和apd接收器的區(qū)別
這兩個(gè)是在結(jié)構(gòu)和機(jī)理上完全不同的裝置,不過目的都是一樣的,都是把光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)。
PMT是photomultiplier tubes 的縮寫,字面意思就是光電倍增管。光子從PMT的一端進(jìn)入,PMT內(nèi)部的陰極端把光子轉(zhuǎn)化為電子,通過逐級(jí)擴(kuò)增的方式,把信號(hào)放大。然后轉(zhuǎn)給信號(hào)轉(zhuǎn)換器,轉(zhuǎn)為數(shù)字信號(hào),再輸送到電腦。
APD是avalanche photodiode的縮寫,這個(gè)裝置采用的是“雪崩擴(kuò)增”模式來放大信號(hào)。
兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。PMT的敏感性比較好,所以主流流式細(xì)胞儀的熒光檢測(cè)探頭一般都采用PMT。不過成本比較高。而APD的造價(jià)低廉,體積小。所以一般用在FSC的探頭。
四、3. 分析比較以下幾種光電檢測(cè)器件的異同:硅光電池,光電二極管(PIN),雪崩光電二極管(APD)。主要從以
簡(jiǎn)單說,都可以產(chǎn)生光生電流,把光變成電。
硅光電池:主要是能量轉(zhuǎn)化,一般工作于可見光波段,把光能轉(zhuǎn)化為電能,單晶硅18%左右,
多晶硅16%左右,一般不會(huì)考慮信噪比;
PIN: 用于光至電信號(hào)轉(zhuǎn)換,通訊中常用,主要的有工作于850nm波段和1100nm-1650nm波段的,
轉(zhuǎn)化效率一般在0.85A/W左右,信噪比可以做到很高,這個(gè)過程中的噪聲主要是熱噪聲;
APD:和PIN相比,多了一個(gè)雪崩增益區(qū),可以發(fā)大光生電流,從而提高轉(zhuǎn)化效率,但是雪崩增益
本身也會(huì)產(chǎn)生噪聲。
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