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SEM測(cè)試（sem測(cè)試樣品要求）

發(fā)布時(shí)間：2023-04-08 04:17:38 稿源：創(chuàng)意嶺閱讀： 86

大家好！今天讓創(chuàng)意嶺的小編來(lái)大家介紹下關(guān)于SEM測(cè)試的問(wèn)題，以下是小編對(duì)此問(wèn)題的歸納整理，讓我們一起來(lái)看看吧。

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本文目錄:

1、SEM、TEM、TG、XRD、AFM、紅外光譜，這幾個(gè)分別是測(cè)什么的？
2、sem測(cè)試玻璃表面出現(xiàn)雪花是什么原因
3、sem和光刻機(jī)區(qū)別
4、sem掃描電鏡測(cè)量需要多長(zhǎng)時(shí)間

SEM測(cè)試（sem測(cè)試樣品要求）

一、SEM、TEM、TG、XRD、AFM、紅外光譜，這幾個(gè)分別是測(cè)什么的？

測(cè)什么百度一下吧，應(yīng)該都有詳細(xì)的測(cè)試原理及項(xiàng)目。

區(qū)別應(yīng)該是 SEM和TEM和AFM，越來(lái)越高級(jí)，放大倍數(shù)越來(lái)越高。XRD和紅外光譜這兩個(gè)是沒(méi)什么關(guān)系的，xrd是測(cè)試晶體結(jié)構(gòu)的，可以測(cè)試晶體結(jié)構(gòu)的，對(duì)于可以看出你的材料是什么。紅外是靠紅外吸收峰的位置與強(qiáng)度反映了分子結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，可以用來(lái)鑒別未知液態(tài)水的紅外光譜物的結(jié)構(gòu)組成或確定其化學(xué)基團(tuán)；而吸收譜帶的吸收強(qiáng)度與化學(xué)基團(tuán)的含量有關(guān)，可用于進(jìn)行定量分析和純度鑒定。l紅外主要用于有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)鑒定在有機(jī)化學(xué)、生物化學(xué)、藥物學(xué)、環(huán)境科學(xué)等許多領(lǐng)域。

二、sem測(cè)試玻璃表面出現(xiàn)雪花是什么原因

sem測(cè)試玻璃表面出現(xiàn)雪花原因：

1、檢查所有的接頭端口，將松動(dòng)的接頭重插一次。

2、試劑的原因，試劑保存不當(dāng)，導(dǎo)致細(xì)菌侵入。

3、返酸現(xiàn)象，需要專用的清潔劑對(duì)玻璃表面清洗。

三、sem和光刻機(jī)區(qū)別

sem和光刻機(jī)區(qū)別

二者之間結(jié)構(gòu)差異主要體現(xiàn)在樣品在電子束光路中的位置不同。透射電鏡（TEM）的樣品在電子束中間，電子源在樣品上方發(fā)射電子，經(jīng)過(guò)聚光鏡，然后穿透樣品后，有后續(xù)的電磁透鏡繼續(xù)放大電子光束，最后投影在熒光屏幕上;掃描電鏡（SEM）的樣品在電子束末端，電子源在樣品上方發(fā)射的電子束，經(jīng)過(guò)幾級(jí)電磁透鏡縮小，到達(dá)樣品。當(dāng)然后續(xù)的信號(hào)探測(cè)處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)也會(huì)不同，但從基本物理原理上講沒(méi)什么實(shí)質(zhì)性差別。

相同之處:都是電真空設(shè)備，使用絕大部分部件原理相同，例如電子槍，磁透鏡，各種控制原理，消象散，合軸等等。

2、SEM和TEM基本工作原理：

透射電鏡（TEM）:電子束在穿過(guò)樣品時(shí)，會(huì)和樣品中的原子發(fā)生散射，樣品上某一點(diǎn)同時(shí)穿過(guò)的電子方向是不同，這樣品上的這一點(diǎn)在物鏡1-2倍焦距之間，這些電子通過(guò)過(guò)物鏡放大后重新匯聚，形成該點(diǎn)一個(gè)放大的實(shí)像，這個(gè)和凸透鏡成像原理相同。這里邊有個(gè)反差形成機(jī)制理論比較深就不講，但可以這么想象，如果樣品內(nèi)部是絕對(duì)均勻的物質(zhì)，沒(méi)有晶界，沒(méi)有原子晶格結(jié)構(gòu)，那么放大的圖像也不會(huì)有任何反差，事實(shí)上這種物質(zhì)不存在，所以才會(huì)有這種牛逼儀器存在的理由。經(jīng)過(guò)物鏡放大的像進(jìn)一步經(jīng)過(guò)幾級(jí)中間磁透鏡的放大（具體需要幾級(jí)基本上是由電子束亮度決定的,如果亮度無(wú)限大，最終由阿貝瑞利的光學(xué)儀器分辨率公式?jīng)Q定)，最后投影在熒光屏上成像。由于透射電鏡物鏡焦距很短，也因此具有很小的像差系數(shù)，所以透射電鏡具有非常高的空間分辨率，0.1-0.2nm，但景深比較小，對(duì)樣品表面形貌不敏感，主要觀察樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

掃描電鏡:電子束到達(dá)樣品，激發(fā)樣品中的二次電子，二次電子被探測(cè)器接收，通過(guò)信號(hào)處理并調(diào)制顯示器上一個(gè)像素發(fā)光，由于電子束斑直徑是納米級(jí)別，而顯示器的像素是100微米以上，這個(gè)100微米以上像素所發(fā)出的光，就代表樣品上被電子束激發(fā)的區(qū)域所發(fā)出的光。實(shí)現(xiàn)樣品上這個(gè)物點(diǎn)的放大。如果讓電子束在樣品的一定區(qū)域做光柵掃描，并且從幾何排列上——對(duì)應(yīng)調(diào)制顯示器的像素的亮度，便實(shí)現(xiàn)這個(gè)樣品區(qū)域的放大成像。具體圖像反差形成機(jī)制不講。由于掃描電鏡所觀察的樣品表面很粗糙，一般要求較大工作距離，這就要求掃描電鏡物鏡的焦距比較長(zhǎng)，相應(yīng)的相差系數(shù)較大，造成最小束斑尺寸下的亮度限制，系統(tǒng)的空間分辨率—般比透射電鏡低得多1-3納米。但因?yàn)槲镧R焦距較長(zhǎng)，圖像景深比透射電鏡高的多，主要用于樣品表面形貌的觀察，無(wú)法從表面揭示內(nèi)部結(jié)構(gòu)，除非破壞樣品，例如聚焦離子束電子束掃描電鏡FIB-SEM,可以層層觀察內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

透射電鏡和掃描電鏡二者成像原理上根本不同。透射電鏡成像轟擊在熒光屏上的電子是那些穿過(guò)樣品的電子束中的電子，而掃描電鏡成像的二次電子信號(hào)脈沖只作為傳統(tǒng)CTR顯示器上調(diào)制CRT三極電子槍柵極的信號(hào)而已。透射電鏡我們可以說(shuō)是看到了電子光成像，而掃描電鏡根本無(wú)法用電子光路成像來(lái)想象。

鑠思百檢測(cè)SEM和TEM樣品制備要求：

TEM測(cè)試對(duì)樣品有以下幾點(diǎn)要求：

① 粉末、液體樣品均可，固體樣品太大了的需要離子減薄、雙噴、FIB、切片制樣。

② 樣品必須很薄，使電子束能夠穿透，一般厚度為100~200nm左右;

③ 樣品需置于直徑為2~3mm的銅制載網(wǎng)上，網(wǎng)上附有支持膜;

④ 樣品應(yīng)有足夠的強(qiáng)度和穩(wěn)定性，在電子線照射下不至于損壞或發(fā)生變化;

⑤ 樣品及其周圍應(yīng)非常清潔，以免污染。

SEM測(cè)試對(duì)樣品有以下幾點(diǎn)要求：

① 粉末樣＞0.02g；塊狀樣和生物樣，直徑小于26mm，高度小于15mm

② 樣品中不得含有水分；

③ 導(dǎo)電性差及磁性樣品為保證拍攝效果，建議噴金

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四、sem掃描電鏡測(cè)量需要多長(zhǎng)時(shí)間

測(cè)量時(shí)間因樣品類型和測(cè)試要求而不同。

電鏡測(cè)量過(guò)程包括：制樣→放樣→確認(rèn)位置→拍照、測(cè)試等。

1、對(duì)于簡(jiǎn)單樣品，可能不需要特別制樣，直接取樣放樣（要抽真空）就可以，該過(guò)程可能需要幾分鐘到十幾分鐘；對(duì)于負(fù)責(zé)樣品，可能需要斷開(kāi)、拋光腐蝕或者其他處理，時(shí)間就不能確定了，有的可能要半天，抽真空放樣可能半個(gè)小時(shí)；

2、如果單純拍幾張照片，沒(méi)有特別要求，幾分鐘就可以確認(rèn)位置和拍完照片，如果在樣品上找某些特定的特征拍照時(shí)間就可能長(zhǎng)很多（這也與拍照人的操作熟練程度有關(guān)），如果還要測(cè)能譜或者其他的內(nèi)容，時(shí)間可能會(huì)更延長(zhǎng)。

如果樓主不能判斷自己樣品符合以上哪些內(nèi)容，不能確認(rèn)時(shí)間，可以詳細(xì)說(shuō)下你的樣品和測(cè)試內(nèi)容，才能準(zhǔn)確知道測(cè)試時(shí)間

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