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半導(dǎo)體材料十大排名（半導(dǎo)體材料十大排名企業(yè)）

發(fā)布時間：2023-05-25 01:47:16 稿源：創(chuàng)意嶺閱讀： 1251

大家好！今天讓創(chuàng)意嶺的小編來大家介紹下關(guān)于半導(dǎo)體材料十大排名的問題，以下是小編對此問題的歸納整理，讓我們一起來看看吧。

本文目錄:

1、史上最全的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景！
2、中國氮化鎵生產(chǎn)十大企業(yè)
3、半導(dǎo)體公司主要是做什么的?
4、半導(dǎo)體塑封機(jī)器人上市公司有哪些

一、史上最全的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景！

導(dǎo) 讀 ( 文/ ittbank 授權(quán)發(fā)布 )

集成電路作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，市場份額達(dá)83%，由于其技術(shù)復(fù)雜性，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)高度專業(yè)化。隨著產(chǎn)業(yè)規(guī)模的迅速擴(kuò)張，產(chǎn)業(yè)競爭加劇，分工模式進(jìn)一步細(xì)化。

目前市場產(chǎn)業(yè)鏈為IC設(shè)計、IC制造和IC封裝測試。

○ 在核心環(huán)節(jié)中，IC設(shè)計處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，IC制造為中游環(huán)節(jié)，IC封裝為下游環(huán)節(jié)。

○ 全球集成電路產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，由封裝測試環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移到制造環(huán)節(jié)，產(chǎn)業(yè)鏈里的每個環(huán)節(jié)由此而分工明確。

○ 由原來的IDM為主逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)镕abless+Foundry+OSAT。

▲全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)杖霕?gòu)成占比圖

① 設(shè)計：

細(xì)分領(lǐng)域具備亮點，核心關(guān)鍵領(lǐng)域設(shè)計能力不足。從應(yīng)用類別(如：手機(jī)到汽車 )到芯片項目(如：處理器到FPGA)，國內(nèi)在高端關(guān)鍵芯片自給率幾近為0，仍高度仰賴美國企業(yè)；

② 設(shè)備：

自給率低，需求缺口較大，當(dāng)前在中端設(shè)備實現(xiàn)突破，初步產(chǎn)業(yè)鏈成套布局，但高端制程/產(chǎn)品仍需攻克。中國本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商只占全球份額的1-2%，在關(guān)鍵領(lǐng)域如：沉積、刻蝕、離子注入、檢測等，仍高度仰賴美國企業(yè)；

③ 材料：

在靶材等領(lǐng)域已經(jīng)比肩國際水平，但在光刻膠等高端領(lǐng)域仍需較長時間實現(xiàn)國產(chǎn)替代。全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模443 億美金，晶圓制造材料供應(yīng)中國占比10%以下，部分封裝材料供應(yīng)占比在30%以上。在部分細(xì)分領(lǐng)域上比肩國際領(lǐng)先，高端領(lǐng)域仍未實現(xiàn)突破；

④ 制造：

全球市場集中，臺積電占據(jù)60%的份額，受貿(mào)易戰(zhàn)影響相對較低。大陸躋身第二集團(tuán)，全球產(chǎn)能擴(kuò)充集中在大陸地區(qū)。代工業(yè)呈現(xiàn)非常明顯的頭部效應(yīng)，在全球前十大代工廠商中，臺積電一家占據(jù)了60%的市場份額。此行業(yè)較不受貿(mào)易戰(zhàn)影響；

⑤ 封測：

最先能實現(xiàn)自主可控的領(lǐng)域。封測行業(yè)國內(nèi)企業(yè)整體實力不俗，在世界擁有較強(qiáng)競爭力，長電+華天+通富三家17 年全球整體市占率達(dá)19%，美國主要的競爭對手僅為Amkor。此行業(yè)較不受貿(mào)易戰(zhàn)影響。

一、設(shè)計

按地域來看，當(dāng)前全球IC 設(shè)計仍以美國為主導(dǎo)，中國大陸是重要參與者。2017 年美國IC設(shè)計公司占據(jù)了全球約53%的最大份額，IC Insight 預(yù)計，新博通將總部全部搬到美國后這一份額將攀升至69%左右。臺灣地區(qū)IC 設(shè)計公司在2017 年的總銷售額中占16%，與2010年持平。聯(lián)發(fā)科、聯(lián)詠和瑞昱去年的IC 銷售額都超過了10 億美元，而且都躋身全球前二十大IC 設(shè)計公司之列。歐洲IC 設(shè)計企業(yè)只占了全球市場份額的2%，日韓地區(qū)Fabless 模式并不流行。

與非美國海外地區(qū)相比，中國公司表現(xiàn)突出。世界前50 fabless IC 設(shè)計公司中，中國公司數(shù)量明顯上漲，從2009 年1 家增加至2017 年10 家，呈現(xiàn)迅速追趕之勢。2017 年全球前十大Fabless IC 廠商中，美國占據(jù)7 席，包括高通、英偉達(dá)、蘋果、AMD、Marvell、博通、賽靈思；中國臺灣地區(qū)聯(lián)發(fā)科上榜，大陸地區(qū)海思和紫光上榜，分別排名第7 和第10。

2017 年全球前十大Fables s IC 設(shè)計廠商

（百萬美元）

然而，盡管大陸地區(qū)海思和紫光上榜，但可以看到的是，高通、博通和美滿電子在中國區(qū)營收占比達(dá)50%以上，國內(nèi)高端 IC 設(shè)計能力嚴(yán)重不足。可以看出，國內(nèi)對于美國公司在核心芯片設(shè)計領(lǐng)域的依賴程度較高。

自中美貿(mào)易戰(zhàn)打響后，通過“中興事件”和“華為事件”我們可以清晰的看到，核心的高端通用型芯片領(lǐng)域，國內(nèi)的設(shè)計公司可提供的產(chǎn)品幾乎為0。

大陸高端通用芯片與國外先進(jìn)水平差距主要體現(xiàn)在四個方面：

1）移動處理器的國內(nèi)外差距相對較小。

紫光展銳、華為海思等在移動處理器方面已進(jìn)入全球前列。

2）中央處理器(CPU) 是追趕難度最大的高端芯片。

英特爾幾乎壟斷了全球市場，國內(nèi)相關(guān)企業(yè)約有 3-5 家，但都沒有實現(xiàn)商業(yè)量產(chǎn)，多仍然依靠申請科研項目經(jīng)費和政府補(bǔ)貼維持運轉(zhuǎn)。龍芯等國內(nèi) CPU 設(shè)計企業(yè)雖然能夠做出 CPU 產(chǎn)品，而且在單一或部分指標(biāo)上可能超越國外 CPU，但由于缺乏產(chǎn)業(yè)生態(tài)支撐，還無法與占主導(dǎo)地位的產(chǎn)品競爭。

3）存儲器國內(nèi)外差距同樣較大。

目前全球存儲芯片主要有三類產(chǎn)品，根據(jù)銷售額大小依次為：DRAM、NAND Flash 以及Nor Flash。在內(nèi)存和閃存領(lǐng)域中，IDM 廠韓國三星和海力士擁有絕對的優(yōu)勢，截止到2017年，在兩大領(lǐng)域合計市場份額分別為75.7%和49.1%，中國廠商競爭空間極為有限，武漢長江存儲試圖發(fā)展 3D Nand Flash(閃存)的技術(shù)，但目前僅處于 32 層閃存樣品階段，而三星、英特爾等全球龍頭企業(yè)已開始陸續(xù)量產(chǎn) 64 層閃存產(chǎn)品；在Nor flash 這個約為三四十億美元的小市場中，兆易創(chuàng)新是世界主要參與廠家之一，其他主流供貨廠家為臺灣旺宏，美國Cypress，美國美光，臺灣華邦。

4）FPGA、AD/DA 等高端通用型芯片，國內(nèi)外技術(shù)懸殊。

這些領(lǐng)域由于都是屬于通用型芯片，具有研發(fā)投入大，生命周期長，較難在短期聚集起經(jīng)濟(jì)效益，因此在國內(nèi)公司層面發(fā)展較為緩慢，甚至有些領(lǐng)域是停滯的。

總的來看，芯片設(shè)計的上市公司，都是在細(xì)分領(lǐng)域的國內(nèi)最強(qiáng)。比如2017 年匯頂科技在指紋識別芯片領(lǐng)域超越FPC 成為全球安卓陣營最大指紋IC 提供商，成為國產(chǎn)設(shè)計芯片在消費電子細(xì)分領(lǐng)域少有的全球第一。士蘭微從集成電路芯片設(shè)計業(yè)務(wù)開始，逐步搭建了芯片制造平臺，并已將技術(shù)和制造平臺延伸至功率器件、功率模塊和MEMS 傳感器的封裝領(lǐng)域。但與國際半導(dǎo)體大廠相比，不管是高端芯片設(shè)計能力，還是規(guī)模、盈利水平等方面仍有非常大的追趕空間。

二、設(shè)備

目前，我國半導(dǎo)體設(shè)備的現(xiàn)況是低端制程實現(xiàn)國產(chǎn)替代，高端制程有待突破，設(shè)備自給率低、需求缺口較大。

關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)壁壘高，美日技術(shù)領(lǐng)先，CR10 份額接近80%，呈現(xiàn)寡頭壟斷局面。半導(dǎo)體設(shè)備處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，貫穿半導(dǎo)體生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)。按照工藝流程可以分為四大板塊——晶圓制造設(shè)備、測試設(shè)備、封裝設(shè)備、前端相關(guān)設(shè)備。其中晶圓制造設(shè)備占據(jù)了中國市場70%的份額。再具體來說，晶圓制造設(shè)備根據(jù)制程可以主要分為8 大類，其中光刻機(jī)、刻蝕機(jī)和薄膜沉積設(shè)備這三大類設(shè)備占據(jù)大部分的半導(dǎo)體設(shè)備市場。同時設(shè)備市場高度集中，光刻機(jī)、CVD 設(shè)備、刻蝕機(jī)、PVD 設(shè)備的產(chǎn)出均集中于少數(shù)歐美日本巨頭企業(yè)手上。

中國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率低，本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商市占率僅占全球份額的1-2%。

關(guān)鍵設(shè)備在先進(jìn)制程上仍未實現(xiàn)突破。目前世界集成電路設(shè)備研發(fā)水平處于12 英寸7nm，生產(chǎn)水平則已經(jīng)達(dá)到12 英寸14nm；而中國設(shè)備研發(fā)水平還處于12 英寸14nm，生產(chǎn)水平為12 英寸65-28nm，總的來看國產(chǎn)設(shè)備在先進(jìn)制程上與國內(nèi)先進(jìn)水平有2-6 年時間差；具體來看65/55/40/28nm 光刻機(jī)、40/28nm 的化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)國產(chǎn)化率依然為0，28nm化學(xué)氣相沉積設(shè)備、快速退火設(shè)備、國產(chǎn)化率很低。

三、材料

半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程

▲各代代表性材料主要應(yīng)用

▲第二、三代半導(dǎo)體材料技術(shù)成熟度

細(xì)分領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)彎道超車，核心領(lǐng)域仍未實現(xiàn)突破，半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料兩大塊。晶圓制造材料中，硅片機(jī)硅基材料最高占比31%，其次依次為光掩模版14%、光刻膠5%及其光刻膠配套試劑7%。封裝材料中，封裝基板占比最高，為40%，其次依次為引線框架16%，陶瓷基板11%，鍵合線15%。

日美德在全球半導(dǎo)體材料供應(yīng)上占主導(dǎo)地位。各細(xì)分領(lǐng)域主要玩家有：硅片——Shin-Etsu、Sumco，光刻膠——TOK、Shipley，電子氣體——Air Liquid、Praxair，CMP——DOW、3M，引線架構(gòu)——住友金屬，鍵合線——田中貴金屬、封裝基板——松下電工，塑封料——住友電木。

（1）靶材、封裝基板、CMP 等，我國技術(shù)已經(jīng)比肩國際先進(jìn)水平的、實現(xiàn)大批量供貨、可以立刻實現(xiàn)國產(chǎn)化。已經(jīng)實現(xiàn)國產(chǎn)化的半導(dǎo)體材料典例——靶材。

（2）硅片、電子氣體、掩模板等，技術(shù)比肩國際、但仍未大批量供貨的產(chǎn)品。

（3）光刻膠，技術(shù)仍未實現(xiàn)突破，仍需要較長時間實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

四、制造

晶圓制造環(huán)節(jié)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中至關(guān)重要的工序，制造工藝高低直接影響半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先進(jìn)程度。過去二十年內(nèi)國內(nèi)晶圓制造環(huán)節(jié)發(fā)展較為滯后，未來在國家政策和大基金的支持之下有望進(jìn)行快速追趕，將有效提振整個半導(dǎo)體行業(yè)鏈的技術(shù)密度。

半導(dǎo)體制造在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈里具有卡口地位。制造是產(chǎn)業(yè)鏈里的核心環(huán)節(jié)，地位的重要性不言而喻。統(tǒng)計行業(yè)里各個環(huán)節(jié)的價值量，制造環(huán)節(jié)的價值量最大，同時毛利率也處于行業(yè)較高水平，因為Fabless+Foundry+OSAT 的模式成為趨勢，F(xiàn)oundry 在整個產(chǎn)業(yè)鏈中的重要程度也逐步提升，可以這么認(rèn)為，F(xiàn)oundry 是一個卡口，產(chǎn)能的輸出都由制造企業(yè)所掌控。

代工業(yè)呈現(xiàn)非常明顯的頭部效應(yīng) 根據(jù)IC Insights 的數(shù)據(jù)顯示，在全球前十大代工廠商中，臺積電一家占據(jù)了超過一半的市場份額，2017 年前八家市場份額接近90%，同時代工主要集中在東亞地區(qū)，美國很少有此類型的公司，這也和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和產(chǎn)業(yè)分工有關(guān)。我們認(rèn)為，中國大陸通過資本投資和人才集聚，是有可能在未來十年實現(xiàn)代工超越的。

“中國制造”要從下游往上游延伸，在技術(shù)轉(zhuǎn)移路線上，半導(dǎo)體制造是“中國制造”尚未攻克的技術(shù)堡壘。中國是個“制造大國”，但“中國制造”主要都是整機(jī)產(chǎn)品，在最上游的“芯片制造”領(lǐng)域，中國還和國際領(lǐng)先水平有很大差距。

在從下游的制造向“芯片制造”轉(zhuǎn)移過程中，一定要涌現(xiàn)出一批技術(shù)領(lǐng)先的晶圓代工企業(yè)。在芯片貿(mào)易戰(zhàn)打響之時，美國對我國制造業(yè)技術(shù)封鎖和打壓首當(dāng)其沖，我們在努力傳承“兩彈一星”精神，自力更生艱苦創(chuàng)業(yè)的同時，如何處理與臺灣地區(qū)先進(jìn)企業(yè)臺積電、聯(lián)電之間的關(guān)系也會對后續(xù)發(fā)展產(chǎn)生較大的蝴蝶效應(yīng)。

五、封測

當(dāng)前大陸地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在封測行業(yè)影響力為最強(qiáng)，市場占有率十分優(yōu)秀，龍頭企業(yè)長電科技 /通富微電/華天科技 /晶方科技市場規(guī)模不斷提升，對比臺灣地區(qū)公司，大陸封測行業(yè)整體增長潛力已不落下風(fēng)，臺灣地區(qū)知名IC 設(shè)計公司聯(lián)發(fā)科、聯(lián)詠、瑞昱等企業(yè)已經(jīng)將本地封測訂單逐步轉(zhuǎn)向大陸同業(yè)公司。封測行業(yè)呈現(xiàn)出臺灣地區(qū)、美國、大陸地區(qū)三足鼎立之態(tài)，其中長電科技 /通富微電/華天科技已通過資本并購運作，市場占有率躋身全球前十（長電科技市場規(guī)模位列全球第三），先進(jìn)封裝技術(shù)水平和海外龍頭企業(yè)基本同步，BGA、WLP、SiP 等先進(jìn)封裝技術(shù)均能順利量產(chǎn)。

封測行業(yè)我國大陸企業(yè)整體實力不俗，在世界擁有較強(qiáng)競爭力，美國主要的競爭對手為Amkor 公司，在華業(yè)務(wù)營收占比約為18%，封測行業(yè)美國市場份額一般，前十大封測廠商中，僅有Amkor 公司一家，應(yīng)該說貿(mào)易戰(zhàn)對封測整體行業(yè)影響較小，從短中長期而言，Amkor 公司業(yè)務(wù)取代的可能性較高。

封測行業(yè)位于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈末端，其附加價值較低，勞動密集度高，進(jìn)入技術(shù)壁壘較低，封測龍頭日月光每年的研發(fā)費用占收入比例約為4%左右，遠(yuǎn)低于半導(dǎo)體IC 設(shè)計、設(shè)備和制造的世界龍頭公司。隨著晶圓代工廠臺積電向下游封測行業(yè)擴(kuò)張，也會對傳統(tǒng)封測企業(yè)會構(gòu)成較大的威脅。

2017-2018 年以后，大陸地區(qū)封測（OSAT）業(yè)者將維持快速成長，目前長電科技 /通富微電已經(jīng)能夠提供高階、高毛利產(chǎn)品，未來的3-5 年內(nèi)，大陸地區(qū)的封測企CAGR增長率將持續(xù)超越全球同業(yè)。

二、中國氮化鎵生產(chǎn)十大企業(yè)

中國氮化鎵生產(chǎn)十大企業(yè)如下：

1、中國蘇州能訊

2007年成立，能訊半導(dǎo)體采用整合設(shè)計與制造（IDM）的模式，自主開發(fā)了氮化鎵材料生長、芯片設(shè)計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù)。

產(chǎn)品：氮化鎵射頻功率晶體管、無線通信氮化鎵射頻功放管、氮化鎵HEMT管。

芯技術(shù)和應(yīng)用：能訊氮化鎵功放管產(chǎn)品在寬帶信號下輸出高效率和高增益，應(yīng)用簡單，適合LTE、4G、5G等移動通信的超寬帶功放應(yīng)用。

氮化鎵HEMT管芯可支持客戶DC-6GHz以內(nèi)的超寬帶應(yīng)用，功率密度、效率及可靠性業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，適合應(yīng)用于緊湊型射頻放大模塊、通用或個人通訊子系統(tǒng)。

2、蘇州晶湛

2012年成立，位于蘇州納米城，致力于氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。截至目前，晶湛半導(dǎo)體已完成A+輪融資，用于擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。

產(chǎn)品：GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-Sapphire。

技術(shù)及應(yīng)用：硅基、藍(lán)寶石基和碳化硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品有著極高的電子遷移率和二維電子氣濃度、極小的緩沖層漏電。應(yīng)用于微波射頻和電力電子領(lǐng)域；目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化鎵晶圓材料。

3、珠海英諾賽科

成立于2015年12月，引進(jìn)美國英諾賽科公司SGOS技術(shù)。

產(chǎn)品：單管GaN FET，半橋GaN FET、GaN IC。

技術(shù)及應(yīng)用：8英寸硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化平臺，具有完善的氮化鎵外延生長、無金硅CMOS兼容工藝制造、自有可靠性測試與失效分析能力。應(yīng)用于激光雷達(dá)、無線充電和快充、數(shù)據(jù)中心、5G通信、人工智能、新能源汽車。

4、重慶華潤微

2000年成立，以銷售額計，公司是2018年前十大中國半導(dǎo)體企業(yè)中唯一一家以IDM模式為主運營的半導(dǎo)體企業(yè)。

產(chǎn)品：8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線，國內(nèi)首個8英寸600V/10A GaN功率器件產(chǎn)品技術(shù)及應(yīng)用：聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器領(lǐng)域，為客戶提供系列化的半導(dǎo)體產(chǎn)品與服務(wù)。

5、杭州士蘭微

成立于1997年9月，總部在中國杭州。

2003年上市產(chǎn)品：國內(nèi)知名IDM企業(yè)，建設(shè)6英寸硅基氮化鎵功率器件中試線。

6、重慶聚力成

2018年9月成立，于重慶市大足區(qū)建設(shè)硅基氮化鎵（GaN-on-Si)外延片基地。

產(chǎn)品：GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延晶圓材料、GaN功率器件。

技術(shù)及應(yīng)用：目前，GLC於重慶市大足區(qū)建設(shè)第一期硅基氮化鎵（GaN-on-Si)外延片工廠，現(xiàn)今外延片已進(jìn)入量產(chǎn)階段，整個項目計劃建成年產(chǎn)能12萬片的氮化鎵外延片產(chǎn)線和年產(chǎn)能36萬片的氮化鎵芯片生產(chǎn)和封測產(chǎn)線。

7、臺灣積體電路制造

成立于1987年，2019年，臺積公司及其子公司所擁有及管理的年產(chǎn)能超過一千二百萬片十二吋晶圓約當(dāng)量。

產(chǎn)品技術(shù)：6英寸的GaN-on- Si。

8、三安集團(tuán)

于2000年11月成立，坐落于廈門。

產(chǎn)品：650V 0.5um GaN/Si，200V/100V0.5um GaN/Si。

技術(shù)及應(yīng)用：三安集成的氮化鎵（GaN）E-HEMT技術(shù)服務(wù)于消費者和工業(yè)應(yīng)用，如適配器／充電器，電信／服務(wù)器smp，無線電源，車載充電器（OBC)和成本有效的解決方案。

9、蘇州捷芯威

成立于2013年，海外歸國人員創(chuàng)辦于蘇州工業(yè)園區(qū)，捷芯威子公司在氮化鎵電力電子技術(shù)領(lǐng)域，擁有百余項國內(nèi)外發(fā)明專利。專利布局包括材料、器件、工藝和應(yīng)用；區(qū)域覆蓋中國、美國、歐洲、日本等。

產(chǎn)品：硅基氮化鎵電力電子器件、藍(lán)寶石基氮化鎵電力電子器件技術(shù)及應(yīng)用：650V GaN FET，其BVds≥650V，Ids＞10A，導(dǎo)通電阻Ron＜0.15Ω?？梢詰?yīng)用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、無線電能傳輸、電源適配器、無線電源和快充領(lǐng)域。

單管耐壓超過2000V的藍(lán)寶石基氮化鎵高壓保護(hù)開關(guān)器件，單管耐壓2000V，開態(tài)時導(dǎo)通電阻低于1Ω，且關(guān)態(tài)時漏電低于1uA/mm。

10、大連芯冠

2016年3月17日成立于大連高新區(qū)，公司采用整合設(shè)計與制造（IDM）的商業(yè)模式。

產(chǎn)品：硅基氮化鎵外延片、硅基氮化鎵電力電子器件。

技術(shù)及應(yīng)用：已建成首條6英寸硅基氮化鎵外延及功率器件晶圓生產(chǎn)線。2019年3月，芯冠科技在國內(nèi)率先推出符合產(chǎn)業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)的650伏硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)品（通過1000小時HTRB可靠性測試），并正式投放市場。

三、半導(dǎo)體公司主要是做什么的?

半導(dǎo)體公司主要是做集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產(chǎn)品，如計算機(jī)、移動電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。

擴(kuò)展資料：

荷蘭恩智浦半導(dǎo)體公司是全球前十大半導(dǎo)體公司，創(chuàng)立于2006年，先前由飛利浦于50多年前所創(chuàng)立。恩智浦提供半導(dǎo)體、系統(tǒng)解決方案和軟體，為手機(jī)、個人媒體播放器、電視、機(jī)頂盒、辨識應(yīng)用、汽車以及其他廣泛的電子設(shè)備提供更優(yōu)質(zhì)的感官體驗。

參考資料來源：百度百科-半導(dǎo)體

百度百科-恩智浦半導(dǎo)體公司

四、半導(dǎo)體塑封機(jī)器人上市公司有哪些

、康強(qiáng)電子：半導(dǎo)體封裝龍頭，2022年第二季度，康強(qiáng)電子毛利率20.23%，凈利率9.72%，營收4.94億，同比增長-15.19%，歸屬凈利潤4804.26萬，同比增長-0.54%，當(dāng)前總市值44.77億，動態(tài)市盈率24.85倍。

目前蝕刻引線框架生產(chǎn)線設(shè)備產(chǎn)能為200萬條每月?？祻?qiáng)電子主營業(yè)務(wù)：制造和銷售半導(dǎo)體封裝材料引線框架和鍵合金絲。

在近7個交易日中，康強(qiáng)電子有4天上漲，期間整體上漲15.32%，最高價為13.66元，最低價為11.11元。和7個交易日前相比，康強(qiáng)電子的市值上漲了7.54億元。

2、通富微電：回顧近5個交易日，通富微電有3天上漲。期間整體上漲12.18%，最高價為18.91元，最低價為15.52元，總成交量6.04億手。

3、歌爾股份：近5日股價下跌3.38%，2022年股價下跌-134.6%。

4、新朋股份：回顧近5個交易日，新朋股份有4天上漲。期間整體上漲6.72%，最高價為6.05元，最低價為5.52元，總成交量7326.24萬手。

5、興森科技：近5日興森科技股價上漲10.77%，總市值上漲了21.8億，當(dāng)前市值為196.33億元。2022年股價下跌-15.78%。

十大半導(dǎo)體封裝排行榜

第一、快克股份50.84%